半导体测试
面向芯片研发与量产的精密测量
概览
面向半导体器件表征、晶圆级测试和量产验证的先进测试方案，覆盖研发到高产量制造。
行业挑战
1
亚飞安级电流测量
2
高速数字接口测试
3
RF/毫米波芯片表征
4
晶圆级与封装级测试
5
高吞吐量产要求
标准与规范
标准说明备注
JEDEC JESD47可靠性应力测试器件可靠性资格认证与应力测试方法
JEDEC JESD22封装与器件可靠性测试温度循环、机械应力与环境测试方法
JEDEC JESD78闩锁测试CMOS 器件闩锁耐受与测试方法
JEDEC JESD625ESD 处理规范ESD 防护与处理要求
IEC 60747半导体分立器件功率器件与分立器件通用特性
MIL-STD-883微电子器件测试方法军规微电子器件可靠性与测试方法
核心原理
S 参数与增益
小信号表征中： 增益（dB）≈ 20·log₁₀|S21| 回波损耗（dB）= -20·log₁₀|S11| 用于射频器件的增益、匹配与稳定性评估。 Ref: IEEE 370-2020
器件 I-V 特性
直流表征中： V_th、g_m、I_on/I_off、击穿电压等参数用于评估器件性能与一致性。 测量需控制测试电流、温度与探针接触一致性。
热阻与结温
结温估算： T_j = T_case + P_loss · R_θJC R_θJC 为结到壳热阻。温升影响可靠性与寿命。 Ref: JEDEC JESD51
高速链路眼图
眼高与眼宽用于衡量信号完整性： 眼高 = V_high(min) - V_low(max) 眼宽 = T_cross_right - T_cross_left 用于 SerDes/DDR 接口质量验证。
ESD 模型
常见 ESD 模型： HBM、CDM、MM。 器件需满足目标等级并通过 JESD22 测试方法验证。
典型测试任务
直流与参数测试
- I-V 曲线阈值、导通电阻与击穿电压
- C-V 测试结电容与工艺一致性
- 漏电与击穿器件安全裕量评估
射频与微波
- S 参数增益、匹配与稳定性
- 大信号P1dB、IP3 与效率
- 噪声系数接收机前端性能评估
高速接口
- 眼图/抖动SerDes/DDR 信号完整性
- 一致性协议与电气规范对齐
- 时序裕量setup/hold 与时序窗口
可靠性与失效
- HTOL高温工作寿命测试
- ESD/闩锁ESD 等级与闩锁耐受
- 温度循环热疲劳与封装可靠性
我们的服务
测试方案制定
根据器件类型与工艺制定测试流程
探针与夹具优化
降低寄生与提高一致性
可靠性与失效分析支持
应力测试与失效定位
自动化与数据分析
批量测试与统计分析
半导体器件与工艺测试经验多品牌支持：是德 / R&S / 泰克支持租赁与二手方案
关键应用
✓MOSFET 与晶体管表征
✓射频 PA 与 LNA 测试
✓高速 SerDes 验证
✓存储器接口测试
✓功率器件表征